2SK1930(TE24L,Q)
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
2SK1930(TE24L,Q) datasheet
-
Маркировка2SK1930(TE24L,Q)
-
ПроизводительTOSHIBA Semiconductor
-
ОписаниеTOSHIBA Semiconductor 2SK1930(TE24L,Q) Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 4A Drain To Source Voltage (vdss): 1000V (1kV) Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 60nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 700pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-10S2B Power - Max: 100W Rds On (max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V Series: - Vgs(th) (max) @ Id: 3.5V @ 1mA
-
Количество страниц1 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
06.06.2024
05.06.2024
04.06.2024